模擬靜電場描繪儀型號：GVZ-4

主要技術(shù)參數(shù)：
1. 和電源分離式，單筆測試,內(nèi)置四種電**
（同心圓、平行導線、聚焦、劈尖形）。
2.規(guī)格為420mm*260mm,高100mm,K4-2導線。

產(chǎn)品型號：GVZ-4

更新時間：2024-02-07

廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家

訪問量：786

產(chǎn)品咨詢 18910534055

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產(chǎn)品分類

環(huán)境氣體檢測儀器

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模擬靜電場描繪儀 型號：GVZ-4

模擬靜電場描繪儀

主要技術(shù)參數(shù)：
1. 和電源分離式，單筆測試,內(nèi)置四種電**
（同心圓、平行導線、聚焦、劈尖形）。
2.規(guī)格為420mm*260mm,高100mm,K4-2導線。
3.同心圓和其他電**印有坐標格規(guī)格為1mm.
4.微晶導電層的均勻性，實驗值誤差為小于2%。
5.電源輸出范圍（直流）為7.00v—13.00V，分辨率為0.01V (配三位半數(shù)碼管)。
6.采用多圈電位器調(diào)節(jié)電壓，調(diào)節(jié)細度可達0.01V。
應承受250g正負50g的力摩擦2萬次，膜層電阻阻值變化0.3%，對導電微晶無磨損。

主要技術(shù)參數(shù)：
1. GVZ-4型為箱體和電源分離式，單筆測試,內(nèi)置四種電**
（同心圓、平行導線、聚焦、劈尖形）。
2.規(guī)格為420mm*260mm,高100mm,K4-2導線。
3.同心圓和其他電**印有坐標格規(guī)格為1mm.
4.微晶導電層的均勻性，實驗值誤差為小于2%。
5.電源輸出范圍（直流）為7.00v—13.00V，分辨率為0.01V (配三位半數(shù)碼管)。
6.采用多圈電位器調(diào)節(jié)電壓，調(diào)節(jié)細度可達0.01V。
應承受250g正負50g的力摩擦2萬次，膜層電阻阻值變化0.3%，對導電微晶無磨損。

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